英特尔PowerVia芯片技术揭秘:背面供电强,2024年投产,引领未来!

2024-03-21

英特尔PowerVia芯片技术揭秘:背面供电强,2024年投产,引领未来! (https://www.qianyan.tech/) 头条 第1张

VLSI Symposium上的Intel新进展

下周,VLSI Symposium将迎来年度盛事。在这一盛大的技术研讨会上,Intel准备了两篇备受瞩目的论文,向全球展示他们在即将推出的PowerVia芯片制造技术方面的最新进展。PowerVia是Intel正在研发的后端电源传输网络技术,该技术预计将彻底改变芯片制造的格局。

PowerVia与RibbonFET的联合力量

PowerVia与Intel的另一项革命性技术——RibbonFET技术相结合,将成为Intel向整个硅基光刻行业发起的一记重拳。RibbonFET技术针对环绕栅极晶体管进行了创新,与PowerVia技术一道,有望在芯片制造领域带来颠覆性的变革。

推动半导体行业发展

尽管随着时间的推移,多项关于新型硅制程及新技术的预想开始显示出内在的实用潜能和很强的科研后盾。这两者展现了可用于持续推动半导体行业进步的关键性能优势,它们的集成将在全球半导体市场引起重大关注。

面向未来的芯片制造之路

通过这两项技术的融合应用,Intel旨在构建一条全新的芯片制造道路,旨在提供更高的性能、更低的能耗以及更佳的生产效率。这是对整个行业的一次重要突破,并预示着半导体行业的未来将更加多元化、高效和前沿。

未来的可能性

PowerVia与RibbonFET的发布将为我们打开一个充满无限可能性的新世界。我们期待着Intel在未来能够继续带来更多创新技术,推动整个半导体行业不断向前发展,为我们的生活带来更多便利和惊喜。

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