【消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nmDRAM内存产线投资 目标明年6月投运】《科创板日报》12日讯，三星电子内部已确认在平泽P4工厂建设1c nmDRAM内存产线的投资计划，该产线目标明年6月投入运营。平泽P4是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为NAND闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为DRAM内存。三星已在P4一期导入DRAM生产设备，但搁置了二期建设。而1c nmDRAM是第六代20~10nm级内存工艺，各家的1c nm（或对应的1γ nm）产品目前均尚未正式发布。 (ETNews)
消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nmDRAM内存产线投资 目标明年6月投运
2024-08-12
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