近日，工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》（以下简称《指导目录》），其中在“集成电路生产装备”一栏，有两款国产光刻机尤为引人关注。
一款是光源波长248nm、套刻精度小于25nm的氟化氪光刻机；另一款是光源波长193nm、套刻精度小于8nm的氟化氩光刻机。
对此，不少网友误认为“后者可以用于8nm芯片的制造”。
（图片来源：工信部）
其实，这样理解是错误的。所谓套刻精度小于8nm，指的是前后两道光刻工序之间的图形对准精度达到了8nm以下，即误差小于8nm。
而《指导目录》中更为先进的氟化氩光刻机，实际制程约为55nm，技术水平相当于ASML于2015年出货的TWINSCAN XT 1460K光刻机。
要知道，ASML今年最新发布的极紫外光刻机，可是将制造工艺推向了2nm以下。与之相比，我们在光刻机领域仍然落后ASML将近15-20年。
（图片来源：ASML官网）
尽管此次工信部推广的国产氟化氩光刻机并不是最先进技术，但它的意义依然重大。
首先，从核心技术指标来看，这款氟化氩光刻机与我们此前最先进的国产设备（上海微电子的90nm光刻机）相比，实现了重大技术突破。
该公告虽未提及具体供应商，但包括氧化炉、干法刻蚀机等设备在内的多个国产芯片制造设备已被推荐使用。这不仅标志着中国在半导体制造领域迈出了重要一步，更是在全球芯片产业竞争激烈的背景下，为中国芯片产业的自主发展注入了一剂强心针。
其次，此次光刻机进入《指导目录》，也意味着国产链条已完全打通，关键领域的国产替代步伐将越走越快，这对于推动中国科技自立自强、提升产业竞争力具有重要意义！
除了光刻机，《指导目录》中还有多类集成电路生产装备，包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特种金属膜层刻蚀机、化学气相沉积装备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。
感兴趣的小伙伴，可以进入工信部官方号进行查看。
