美光表示：
凭借在成熟的 1 β 工艺技术方面的坚实基础和持续投资，我们预计美光的 HBM4 将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比 HBM3E 提升 50%以上。 我们预计 HBM4 将于 2026 年大批量上市。
HBM4E 将紧随 HBM4 之后推出。 HBM4E 将通过采用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户提供定制逻辑基础芯片的选择，从而为存储器业务带来模式转变。 我们预计这种定制能力将提高美光的财务业绩。
HBM4在许多方面都具有革命性意义，但值得注意的一点是，业界计划将内存和逻辑半导体集成到一个封装中。 这意味着不再需要封装技术，而且鉴于单个芯片将更接近于这种实现方式，它将被证明具有更高的性能效率。 这就是美光提到他们将使用台积电作为"逻辑半导体"供应商的原因，与 SK Hynix 采用的供应商类似。
美光还提到了 HBM4E 工艺的存在，成为唯一一家与 SK Hynix 一起率先披露该技术发展情况的公司。 虽然我们目前还不清楚美光的 HBM4 产品线规格，但该公司透露，HBM4 预计将堆叠多达 16 个 DRAM 芯片，每个芯片的容量为 32 GB，并采用 2048 位宽接口，这使得该技术比上一代产品更加优越。
在应用方面，HBM4 预计将与 AMD 的 Instinct MI400 Instinct 系列一起出现在英伟达的 Rubin AI 架构中， 目前，HBM 的需求正处于高峰期，美光公司自己也透露了到 2025 年的生产线预订情况，因此，未来甚至会更加光明。
