长鑫此前的主要产品是DDR4、LPDDR4、LPDDR4X系列，制造工艺都是19纳米，2023年11月正式推出LPDDR5，用于移动端，如今终于迈入了DDR5的行列，与三星、SK海力士、美光三大原厂平起平坐。
据半导体行业人士透露，据其了解，长鑫存储确实已经开始生产DDR5，并与客户接洽，公布的产品良率在80％左右。
要知道，三星、SK海力士的DDR5芯片良率也就是80-90％，显然长鑫已经达到了国际先进水准，而且仍有进一步提升的空间。
半导体行业观察机构TechInsights的Jeongdong Choi博士也在高度关注长鑫DDR5，并寻找机会进行分析。
他透露，虽然长鑫没有公开官方信息，但是根据他掌握的信息，DDR5一般都是使用G3工艺开发的，线宽(特征尺寸)为17.5纳米。
相比之下，DDR4使用的是G1工艺，线宽22纳米，LPDDR4X则使用G1、G3。
要知道，长鑫早已经被美国列入实体清单，不可能获得三大原厂同款的EUV光刻设备，只能依赖现有设备和技术，即便如此还能高良率量产DDR5，无疑是巨大的突破。
顺带一提，长江存储今天发布致态TiPro9000，作为其首款PCIe 5.0 SSD，使用了新一代晶栈Xtacking 4.0架构闪存，虽未透露具体层数，但明确表示有着更高的存储密度、I/O速度、可靠性，同样值得欢欣鼓舞！
