台积电3DFabric:2.5D/3D堆叠技术,创新引领未来

2024-03-21

台积电3DFabric:2.5D/3D堆叠技术,创新引领未来 (https://www.qianyan.tech/) 头条 第1张

晶片互联技术简介

Interposers、EMIB、Foveros、Die-to-die stacking、ODI、AIB、TSVs——这些名词和缩写词都有一个共同特点,那就是它们都涉及到两个硅晶片如何物理连接。从基础层面来看,两个芯片可以通过印刷电路板进行连接——这种方式成本低廉,但带宽有限。超越这种简单的实现方式,存在多种将多个芯片组合在一起的连接技术,台积电在这些技术领域也有深入研究。

台积电的领先技术

台积电作为半导体制造的佼佼者,不仅掌握了基础的芯片制造技术,更在芯片连接技术上取得了重要突破。其研发的Interposers、EMIB、Foveros等技术,都旨在提高芯片间的连接带宽和效率。这些技术使得芯片可以在不增加尺寸的情况下,实现更高的性能。

晶片堆叠技术:Die-to-die stacking

晶片堆叠技术是一种将多个晶片堆叠在一起的技术,它允许晶片间直接通信,而无需通过外部电路。这种技术可以显著提高系统的性能和能效。台积电在Die-to-die stacking技术方面有着丰富的经验和深厚的技术储备,为客户提供了高质量的晶片堆叠解决方案。

先进的封装技术:ODI与AIB

ODI和AIB是台积电研发的两种先进的封装技术。这些技术通过优化封装过程,提高了芯片间的连接性能和可靠性。它们不仅有助于减小系统的体积和重量,还能提高整体性能,使电子产品更加高效和耐用。

贯穿硅通孔技术:TSVs

TSVs是台积电研发的一项颠覆性技术,它通过直接在硅晶片上钻孔并在其中填充导电材料来实现芯片间的互连。这项技术突破了传统的电路布线方式,大大提高了芯片间通信的速度和带宽。台积电在这一领域的卓越表现使其在全球半导体行业处于领先地位。

结论:技术的未来

随着技术的不断发展,晶片间的连接技术将变得越来越重要。台积电凭借其在Interposers、EMIB、Foveros、Die-to-die stacking、ODI、AIB和TSVs等领域的深厚实力,将继续引领半导体行业的发展。这些技术不仅将推动电子产品的性能提升,还将为我们的生活带来更多便利和可能性。

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